• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1983000969A1
    申请号:PCT/JP1982/000342
    申请日:1982-08-27
    公开日:1983-03-17
    发明作者:Corporation Sony
    申请人:Takeshita, Kaneyoshi；Hashimoto, Takeo；
    IPC主号:H01L27-00
    专利说明:
    [0001] 明
    [0002] 固体-撮像装
    [0003] 技術分野 - こ の発明は、 電荷転送素子を用いて構成された固体 撮像装置に関 し、 よ ] 詳細には、 基本的にはイ ン タ ー ラ イ ン耘送型であ 、 才 一 バー フ ロ ー · ド レ イ ンが設 細 /
    [0004] けられる こ と な ぐ ブル ー ミ ン グ現象ゃス ミ ァ現象が抑 £される よ う に な された、 改良された固体撮像装置に 関する。
    [0005] 背景技術
    [0006] 電荷結合素子 （チ ャ ー ジ · カ ッ プル ド · デ ィ バ イ ス、 以下、 C C D と い う） 等の電荷転送素子の電荷転送動 作を応用 した固体撮像装置には、 大別 して、 フ レ ー ム 転送型の も の と ィ ン タ ー ラ ィ ン転送型の も の と があ 、 いずれも 、 小型軽量で、 低消費電力であ 、 かつ、 信 頼性が高い等々 の優れた点を有 してお 、 将来性豊か な撮像装置であ る。 しか しながら、 こ の よ う 長所の 反面、 ま た、 ブル ー ミ ン グ現象ゃ ス ミ ア.現象に関 して 解決されるべき 問題が残存 している も ので も あ る。
    [0007] ブ ル 一 ミ ン グ現象ゃス ミ ァ現象に よ る撮像出力再生 画像の劣化の軽減策は、 既にい く つか提案されている。 例えば、 ブル 一 ミ ン グ現象の抑 Eに は、 C C D を利用 した固体撮像装置、 即ち、 C C D撮像装置に、 受光時 に受光素子部の蓄積容量を超えて溢れ出す過剰電荷を 排出するためのォ一バ一 フ ロ ー · ド レ イ ンを設ける こ とが、 劾杲のあ る手段であ る。 し力 し、 この よ う なォ — バ — フ ロ ー · ド レ イ ンを設ける こ とは、 C C D撮像 装置内の受光素子部の各々 の面積を小な ら しめ、 また、 その集積度を低下せしめる こ とに ¾ 、 撮像感度の低 下や解像度の低下を も た らす欠点を伴う 。
    [0008] そ こ で、 オ ー バー フ ロ ー ' ド レ イ ンを設ける こ と な く 、 ブル ー ミ ン グ現象ゃ ス ミ ア現象を抑 BEで き る も の と して、 イ ン タ ー ラ イ ン転送型 ¾形成する C C D撮像 装置に於ける受光 · 垂直転送部と水平転送部との間に、 フ レ ー ム転送型を形成する C C D撮像装置に於いて設 けられる如 く の蓄積部を設け、 垂直転送部中の信号電 荷を高速転送してこの蓄積部へ移 し、 空になった垂直 転送部を受光期間にオ ー バ 一 フ ロ ー · ド レ イ ン と同様 に機能させる よ う に した、 イ ン タ 一 ラ イ ン転送型を発 展させた も のが提案されている。
    [0009] こ こ では、 斯かる イ ン タ ー ラ イ ン転送型を発展させ た固体撮像装置 ¾ ハ イ ブ リ ッ ド転送型の固体撮像装置 と呼ぶこ とにするが、 このハ イ ブリ ッ ド.転送型の固体 撮像装置に於いては、 受光素子部か ら垂直転送'部へ読 み出された信号電荷は、 蓄積部へ高速垂直転送されて、 蓄積部か ら水平転送部へ各水平ブ ラ ン キ ン ク'期間に相 当する期間毎に転送される。 そ して、 空に ¾つた垂直
    [0010] ¾送部は受光期間に於いて、 受光素子部か らの過剰電
    [0011] O PI 荷ゃ受光に よ 垂直転送部に流れ込む不要電荷に一対 し てオーバ一 フ ロ ー · ド レ イ ン と しての役割 ¾果 し、 ま た、 受光期間後の受光素子か ら垂直転送部への信号 電荷の読出 しが行われる読出 し期間に先立って、 垂直 転送部に於ける不用電荷の掃出 し転送が行われるので、 垂直転送部か ら蓄積部へ転送される信号電荷に不要る 電荷が混入する こ と が く 、 しか も 、 垂直転送部に於 ける信号電荷の蓄積部への転送は高速で短時間になさ . れるので、 垂直転送部が信号電荷を転送 している期間 に於ける不用電荷の流入が少と ¾ る。 従って、 ブル ー ミ ン グ現象ゃス ミ ァ現象が輊減された撮像出力信号を 得る こ とカ で き る。 .
    [0012] しか しながら、 斯かる ハ イ ブ リ ッ ド転送型では、 上 述の如 く の垂直転送部に於ける不甩電荷の掃出 し ¾送 は、 信号電荷の蓄積部への耘送方向と は逆の方向に高 速で行われる こ とが必要 と ¾ 、 こ の た め垂直耘送駆 動系の構成及び動作が複雑にな る欠点があ る。 ま た、 垂直耘送部での電荷転送時に於ける過剰電荷対策のた め受光素子部や垂直転送部に余分 ¾取扱い電荷容量を 持たせる こ とが必要 と な ] 、 最大取扱い電荷量の一部
    [0013] (通常 以下） しか信号電荷と し得 ¾い と い う 欠 点 ¾ 0
    [0014] そこ でこの発明は、 上述の如 く の従来の固体撮像装 置に於ける問題に鑑みて、 檮成の改良及びそれに伴う 動作に於はる改良がはか られる こ と に よ 、 上述した
    [0015] OMPI
    [0016] V/1PO ハ イ ブ リ ッ ド転送型の固体撮像装置の長所を備え、 し か も 、 従来のハ イ ブ リ ッ ド転送型の 固体撮像装置で必 要 と された高速掃出転送が不要 と されて垂直 ¾送駆動 系が簡易化され、 かつ、 信号電荷容量が大 と されて、 撮像出力信号の ダ イ ナ ミ ッ ク レ ン ジを拡大する こ とが でき る よ う にされた固体撮像装置を提供する こ と を 目 的 とする も のであ る。
    [0017] - 発明の開示
    [0018] この発明は、 イ ン タ ー ラ イ ン転送型を発展させたハ イ ブ リ ッ ド転送型の固体撮像装置と 同様に、 受光素子 部、 垂直転送部、 読出 ゲー ト 部、 蓄積部、 水平耘送部 及び出力部を配 した固体撮像装置に於いて、 垂直転送 部が読出 ゲー ト 部を含む高不純物濃度領埭で包囲され る よ う に構成 し、 受光素子部に得 られる信号電荷が垂 直転送部に読み出 される読出期間以外の勤作期間に於 いて、 上述の読出 ゲー ト 部及び他の垂直転送^の周辺 部がア キュ ム レ 一 シ ヨ ン状態にあ る よ う に る し、 受光 素子部に発生する過剰電荷の垂直転送部への流れ込み を防止する よ う にする。 この よ う にされた この発明に 係る 固体撮像装置は、 オ ー バ ー フ ロ ー · ド レ イ ン を設 ける こ と ¾ く ブル ー ミ ン グ現象ゃ ス ミ ァ現象の発生を 効果的に回避する こ と がで き るので、 高感度、 高痹像 度で良質の撮像出力信号が得 られる も の と な ] 、 しか も 、 従来の ハ イ プ リ ッ ド転送型の装置に於いて必要 と る る高速掃出転送動作は必要 と され いので、 垂直転 - 送駆動系が極めて簡易化された も の と な る。 ま た、 過 剰電荷ゃ不甩電荷の垂直転送部への流入が極めて小 る も の と される の で、 受光素子部や垂直転送部の 信号 電荷に対する取扱い電荷容量を大 と する こ と がで き 、 拡大されたダイ ナ ミ ッ ク レ ン ジを も つ撮像 出力 信号を 得る こ と ができ る も の と な る。
    [0019] 図面の簡単 ¾説明
    [0020] 第 / 図は こ の発明に係る 固体撮像装置の一例を示す 概略平面図、 第 =2 図は第 / 図に示される装置の構成の 詳細を示す部分拡大平面図、 第 J 図は第 図の in — m に従 う 断面図、 第 図は こ の発明に係る 固体撮像装置 に使用される駆動信号の一例 ¾示す波形図であ る。
    [0021] 発明 ¾実施する ための最良の形態
    [0022] 以下、 図面を参照 して、 . こ の発明の好ま しい実施例 を詳細に説明する。
    [0023] ' 第 / 図は こ の 発明に係る 固.体撮像装置の一例を示 し、 この例に於いては、 水平列及び垂直列を形成 して配さ れた複数の受光素子部 / ど受光素子部 / の垂直列に沿 つて配された複数列（ 、 例えば、 C C D 群で形成され た垂直転送部 =2 と を含み.、 各受光素子部. / の垂直列 と これに対応する 垂直転送部 と の間の位置に設け られ た読出 ゲ ー ト部 J が配されて成 る受光 · 垂直転送部
    [0024] と 、 例えば、 C C D 群で形成された水平転送部 と 、 水平転送部 に結合 した 出 力部 ^ と 、 受光 · 垂直転送 部 と 水平転送部 と の 間に配された他の C C D 詳で f _O PI έ - 成る蓄積部 7 と力 半導体基体上 設け られている。 蓄積部 Ί には各垂直転送部 =2 の他端が結合 してお ]) 、 受光素子部 / の水平列の数に対応する 数の蓄積 · 転送 部の水平列 が形成されている。 さ らに、 出 力部 か ら 信号出力端子 a が導出されてい る。 そ して、 受光 素子部 / の垂直列以外の部分は、 遮光層 ？ で覆われて いる。 垂直転送部 < 及び蓄積部 7 には、 夫 々 、 所定の 垂 11転送ク ロ ッ ク 信号が供給され、 ま た、 水平転送部 には所定の水平耘送ク 口 ッ ク 信号が供給されて電荷 転送動作がな される。 そ して、 例えば、 / フ ィ ール ド 斯間内の受光に よ ] 各受光素子部 / に得 られた信号電 荷が、 読出 ゲー ト 部 3 に印加される読出パルス に よつ て垂直転送部 c2 へ読み出され、 これが垂直転送部 =2 か ら蓄積部 7 へ高速垂直転送されて、 受光素子部 / の各 水平列で得 られた信号電荷が蓄積部 7 の蓄積 · 転送部 の各水平列 へ移される。 こ の蓄積部 7 へ移された信 号電荷は、 各水平帰線期間に相当する期間ご と に / 水 平列 ずつ順次.水平転送部 へ転送され、 これが各水 平映像期間に相当する期間に出力部 έ へ水平転送され て、 信号出力端子 έ a に撮像出力が得 ら.れる。
    [0025] 上述の受光 · 垂直転送部 は、 よ 詳細には、 第 2 図に示される如 く 、 受光素子部 / と これに対応する垂 直転送部 と の間に読出ゲ一 ト 部 ό " が形成されてお 、 受光素子部 / の読出ゲー ト 部 J 側 と は反対惻及び各受 光素子部 / 間にチ ャ ン ネ ル · ス 卜 ッ パ 一部 / が形成 されている。 そ して、 各受光素子部 / を単位と する単 位画素の水平列毎に水平方向に従び、 垂直転送部 =2上 ¾覆う垂直転送電極 / / が順次配されてい る。 こ の各 垂直 ¾送電極 / / は読出ゲー 卜部 J上に も 共通に配さ れていて読出ゲー ト 電極 も兼ねてお ] 、 ま た、 電荷蓄 積電極 / /a と電位障壁電極部 // b と か ら成っている。
    [0026] 斯かる各垂直転送電極 / / には、 信号電荷を読み出す ための読出パ ル ス が供給され、 さ らに、 =2 相の垂直転 送ク ロ ッ ク 信号の一方及び他方が / つおき に供給され る Ο
    [0027] 第 J 図は第 =2 図の IE — ΠΙの断面を示 し、 こ こ に、 こ の発明に係る装置の特徵的構成が示されている。 即ち、 例えば、 P形半導体基体 / の一方の表面側に受光素 子部. / 及び垂直転送部《2 が N形半導体領域 と して形成. されているが、 こ こ で、 こ の垂直転送部 2 は埋込みチ' ヤ ン ネ ル型 C C D とされ、 その周囲を、 読出ゲー ト 部
    [0028] J ¾含む高不純物濃度の P 形半導体領域 / J と チ ャ ン ネ ル · ス ト ッ パ ー部 / ひを形成する高不純物饞度の P 型半導体領域とで包囲されているのである。 そ して、 これら各部の上には絶縁層 /、 が配され.、 こ の絶縁層 / を介 して、 垂直転送部 =2 及び読出 ゲー ト 部 J上に、 読出ゲー ト 電極を兼ねる垂直転送電極 / / が配されて — いる。
    [0029] 斯 く の如 く に構成された こ の発明に係る装置の一例 · の各垂直転送電極には、 例えば、 第 図に示される如
    [0030] 一 OMPI ε ―
    [0031] く の駆數信号 0 / 及び 0 2 が、 / つおき に交互に'供給 される。 駆動信号 ø / は読出期間 T. r に読出 パ ル ス
    [0032] P r を 、 そ して垂直転送期間 T v に垂直転送ク 口 ッ ク 信号 P / を有 し、 受光期間 T i では負の電圧、 例えば、
    [0033] — と る 信号であ ] 、 ま た、 駆動信号 0 2 は読 出期間 T r に読出パ ル ス P r をそ して垂直転送期間
    [0034] T v には、 垂直転送ク ロ ッ ク 信号 / と は逆相の垂直 転送ク ロ ッ ク 信号 ？ J を有 し、 受光期間 T i では、 羅 動信号 ？ 5 / よ も 絶対値が小であ る負の電圧、 例えば、 — Vを と る信号であ る。 こ こ で、 読出 パ ル ス P r は —正の電 £、 例えば + V と されてお ] 5 、 ま た、 互いに 逆栢であ る =2 相の垂直転送ク ロ ッ ク 信号 ^ / 及び 2 は、 共に、 負の電 £範囲の パ ル ス列 と されてお D、 -例 えば、 高 レ ベ ル側を 一 V と し低レ ベ ル側を一 / V とする も の と されている。
    [0035] 次に、 動作について述べる。 先ず、 垂直転送電極
    [0036] / / に駆動信号 ø / 又は ø 2 の読出 パルス が供給され る読出期間 T r には、 読出 ゲー ト 部 ？ の電位が高 く
    [0037] (深 ぐ） って、 受光素子部 / に蓄積さ れた信号電荷 が読出 ゲー ト 部 J ¾介 して垂直転送部 =2へ読み出され る。 続 ぐ 垂直転送期間 T v には、 各垂直転送電極 / / に垂直転送ク ロ ッ ク 信号 ！ 及び φ ュ が / つお き に交 互に供給されて、 読み出された信号電荷の蓄積部 7へ の高速垂直転送が ¾ される。 そ して、 次に続 く 受光期 間で i に於いては、 垂直転送電極 / / に葸動信号 /
    [0038] OMPI 及び ø の負の電 ε (— / V及び一 V) が供給さ れ、 受光素子部 / では受光に よ る 信号電荷の蓄積が行 われる。 その後、 再び、 読出期間 T r と るつて以下上 述の動作が繰 ]) 返される。
    [0039] こ こ で、 高不純物濃度の P形半導体領域であ る読出 ゲー ト 部 は、 正の電 £値 （十 V ) を も つ読出パ ル ス P r が印加される読出期間 T r 以外の垂直転送期間 T v 及び受光期間 T i に於いては、 負の電 E ( - S V 又は一 / V ) が印加されている こ と に な ] 、 正孔の 蓄積状態にあ るアキュ ム レ ー シ ョ ン状態にあ る よ う に されている。 これに よ ] 、 受光期間 T i に受光素子部 / に入射する過剰光に よ ]) 発生 した過剰電荷は、 ア キ ュム レ 一 シ ヨ ン状態にあ る読出ゲ一 ト 部 ¾含む垂直 転送部 =2 の周囲の 形半導体領域 / J の正孔濃度が半 導体基体 / 2 よ 高いので半導体基体 / 2 へ拡散 し、 垂直転送部 =2への流れ込みは極めて小と る る。 この と き 、 垂直転送部 =2 の方向に流れる擬信号電荷成分の う ち垂直転送部 =2 中に流れ込む も の の劐合は、 P を半導 体基体 / =2 の不純物濃度、 例えば、 S f 0し cnT3と し、 P+を P形半導体領域 / J の不純物濃度、 例えば、 2 X / 01。 CM— 3と する と 、 PZP+ と る ] 、 例えば、
    [0040] p/p+ = Iハ 0 にすぎ ¾い 。 従って、 ォ一ノ、 *— フ ロ ー • ド レ イ ンを設ける こ と 〈 過剰電荷の垂直転送部 J への流入が効果的に防止される と と も に、 受光期間
    [0041] T i に受光.素子部 / に蓄積された信号電荷を垂直 ¾送 一 OMH 麵 / 0 _
    [0042] 部 =2へ読み出すに先立って、 垂直転送部 2 の不用'電荷 を排出する と い う 動作の必要が ¾ く ] 、 従来のハイ プリ ッ ド転送型の装置に於いて行われる如 く の読出期 間の直前の掃出転送は不要と される。 も ちろん、 垂直 転送部 c2 は遮光層で覆われているので、 光が直接入射 する こ とは 。
    [0043] また、 受光期間 T i に於いては、 垂直転送部 2 には 各受光素子部 / に対応する.部分に絶 ¾!：の異なる負の 電圧 （一 / V と 一 V) が交互に固定バ イ ア ス と し て印加されている こ とに ¾るので、 転送動作が停止さ れて る と と も に、 電位の低い （浅い） 部分と高い
    [0044] (深い） 部分が交互に形成されてお ] 、 垂匼転送部 2 に僅かに流れ込んだ擬信号電荷は流れ込んだ場所に蓄 積され、 垂直転送部 内を移動する こ とがない。 従つ て、 これに よ ] 、 撮像出力信号に も とず ぐ 再生画像上 で棒状のパ タ ー ン と なって画質を劣化させる ブル ー ミ ン グ現象が生ずる こ とはない。 斯かる棒状パタ ー ンを 生ぜしめる ブル ー ミ ン グ現象が生ずるのは、 受光期間
    [0045] T i に垂昼転送部 =2 に流入 した擬信号電荷が垂直転送 部 2の高い （深い） 部分を飽和させた場合で'あるが、 受光素子部 /への'過剰光に よ ]).発生 した揍信号電荷を ェ 0 と し、 この う ち半導体基体 / o2 の裏側 （受光素子 部 / 側とは反対側） へ流れる も のの割合 び とする と、
    [0046] H転送部 へ流れ込む擬信号電荷 Io ' は （ / — な）
    [0047] + 0 と な ] 3、 こ こ で、 前述の如 く PZP+ =
    [0048] f OMPI . .. . - / /· ―
    [0049] / と し、 α を . とする と 1 0 ' = I / 0 0 . I 0 と な るので、 上述の垂直転送部 =2 の電位の高い （深い） 部 分を飽和させる擬信号電荷の ： L 0 ク倍の擬信号電荷を 発生させる過剰光ま では、 棒状パ タ ー ンを生ぜしめる ブルー ミ ン グ現象の発生を防げる と い う 優れた ブル一 ミ ン グ現象抑圧効果 も つこ と にな る。
    [0050] さ らに、 垂直転送期間 Τ ν に も読出ゲー ト 部 J には 負の電圧か *印力 [Iされていてア キュ ム レ ー シ ョ ン状態に あ 、 P 形半導体領域 / J が受光時と 同様の作用をな して、 垂直転送部 への擬信号電荷の流入が極めて僅 か ¾ も の と されるので、 垂直転送部。2へ流入 した擬信 号電荷が垂直転送される こ と に よ ] 生ずる、 再生画像 上に白い縦筋を生ぜ しめるス ミ ア現象 も著る し く 輊滅 される。 その え、 過剰電荷対策と して受光素子部 / や垂直転送部 =2 に余分な取扱い電荷量を持たせる とい う こ とが不要 と る る の で、 受光素子部 / や垂直転送部 o2 の取扱い電荷容量を全て信号電荷のために利用でき て、 撮像出力信号のダイ ナ ミ ッ ク レ ン ジを拡大する こ とができ るか、 あ るいは、 羅動信号の振幅を小 と して 駆動系の負担を輊減する こ とができ る。
    [0051] お、 垂直転送部 =2 は埋込みチ ャ ン ネ ル型 C C D と されてい る の で、 垂直転送期間 T V に於ける電荷転送 効率は極めて優れている。
    [0052] ¾お、 . こ の発明に係る固体撮像装置は、 上述の実施 例に限 られる も のではな く 、 この発明の要旨を逸脱 し / 2 - ない範囲で種々 の態様がと られて よいこ と勿論である C 例えば、 2 相垂直転送,駆動の も ののみな らず、 J 相も し ぐ は 相垂直転送駆動の も の も 上述と 同様に して得 る こ とができ る。
    [0053] 産業上の利用可能性
    [0054] 以上の如 く 、 こ の発明に係る固体撮像装置は、 簡易 化された垂直転送駆動系の も と に、 ブル ー ミ ン グ現象 ゃス ミ ア現象を伴う こ との ない、 極めて良質な撮像出 力信号が得られる も ので、 小型、 鎏量化され、 かつ、 消費電力が極めて少である、 使い易い高級テ レ ビジョ ン · カ メ ラ を構成するに最適である—。
    [0055] O PI
    权利要求:
    Claims
    / 3 ―
    請求の範囲 ' 半導体基体上に受光素子部 と、 垂直転送部と 、 上記 受光素子部と垂直転送部との間に設け られた読出ゲ— ト 部と、 蓄積部 と、 7j 平転送部と、 出力部とが配され て、 上記垂直転送部が上記読出 ゲー ト 部 ¾含む高不純 物饞度領域で包囲される よ う に構成され、 上記受光素 子部に受光期間に於いて得 られる 信号電荷が、 読出期 間に上記読出ゲー ト 部を介 して上記垂直転送部に読み 出され、 該信号電荷が上記垂直転送部か ら蓄積部へ高 速転送され、 該蓄積部に転送された信号電荷が水平転 送部に よ 出力部へ転送される よ う にされる と と も に、 上記読出期間以外の動作期間に於いて上記読出グー 卜 部及び上記垂直転送部の周辺部がアキュ ム レ ー シ ヨ ン 状態にあ る よ う にされた固体撮像装置。
    霍
    OMPI
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    EP0854516B1|2010-11-17|Partially pinned photodiode for solid state image sensors
    KR100326573B1|2002-03-12|고속도 동작 고체 촬상 장치
    US5401952A|1995-03-28|Signal processor having avalanche photodiodes
    US7821560B2|2010-10-26|Optical sensor, solid-state imaging device, and operating method of solid-state imaging device
    US6781178B2|2004-08-24|Non-volatile solid state image pickup device and its drive
    EP2398055B1|2012-12-12|Pixel circuit for global electronic shutter
    JP3915161B2|2007-05-16|ブルーミング防止構造を備えた固体撮像素子のダイナミックレンジ拡大方法とその固体撮像素子
    JP3874135B2|2007-01-31|固体撮像素子
    US6188093B1|2001-02-13|Photoelectric conversion devices and photoelectric conversion apparatus employing the same
    JP4455435B2|2010-04-21|固体撮像装置及び同固体撮像装置を用いたカメラ
    KR920010830B1|1992-12-17|인터라인형 전하 전송 촬상 소자 및 촬상장치
    KR100536935B1|2005-12-14|고체 촬상 장치 및 그 구동 방법
    KR0155017B1|1998-11-16|고체촬상장치
    US5182623A|1993-01-26|Charge coupled device/charge super sweep image system and method for making
    US5019702A|1991-05-28|Photoelectric transducer apparatus having a plurality of transducer elements and a plurality of capacitor elements
    US6828601B2|2004-12-07|Charge transfer apparatus
    JP4340660B2|2009-10-07|増幅型固体撮像装置
    US7145600B2|2006-12-05|Image pickup apparatus having a plurality of CCDs, charge detecting circuits, and A/D conversion circuits
    JP4961982B2|2012-06-27|固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置
    US4485315A|1984-11-27|Blooming suppression in a CCD imaging device
    US8541731B2|2013-09-24|Solid-state image sensor
    TWI233207B|2005-05-21|Solid-state imaging device, method for driving solid-state imaging device, imaging method, and imager
    US5182648A|1993-01-26|Charge coupled device imager with horizontal charge transfer section in an imaging section
    DE3709674C2|1989-09-21|
    US4912560A|1990-03-27|Solid state image sensing device
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0086845A4|1985-06-06|
    EP0086845A1|1983-08-31|
    EP0086845B1|1988-10-12|
    US4663771A|1987-05-05|
    JPS5838081A|1983-03-05|
    DE3279119D1|1988-11-17|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS568966A|1979-07-03|1981-01-29|Sony Corp|Solid-state image pickup unit|
    JPH05160186A|1991-12-04|1993-06-25|Tanaka Denshi Kogyo Kk|半導体素子用のＰｄ極細線|DE3329095A1|1982-08-13|1984-02-16|Mitsubishi Electric Corp|Festkoerperbildsensor|US3866067A|1973-05-21|1975-02-11|Fairchild Camera Instr Co|Charge coupled device with exposure and antiblooming control|
    NL7311600A|1973-08-23|1975-02-25|Philips Nv|Ladingsgekoppelde inrichting.|
    JPS6160592B2|1974-11-21|1986-12-22|Nippon Electric Co||
    US3931465A|1975-01-13|1976-01-06|Rca Corporation|Blooming control for charge coupled imager|
    JPS6242554B2|1978-07-26|1987-09-09|Sony Corp||
    JPS6033345B2|1979-06-08|1985-08-02|Nippon Electric Co||
    JPS56160081A|1980-05-14|1981-12-09|Matsushita Electronics Corp|Solid state image pickup apparatus|
    JPS6117152B2|1980-11-04|1986-05-06|Tokyo Shibaura Electric Co||
    JPS57104377A|1980-12-19|1982-06-29|Matsushita Electric Ind Co Ltd|Solid-state image pickup device|
    JPS57162364A|1981-03-30|1982-10-06|Matsushita Electric Ind Co Ltd|Solid state image pickup device|
    JPS634751B2|1981-07-20|1988-01-30|Sony Corp||
    JPS6329873B2|1981-07-27|1988-06-15|Sony Corp||DE3586452T2|1984-10-18|1993-03-18|Matsushita Electronics Corp|Festkoerperbildsensor und verfahren zu seiner herstellung.|
    JPH0793705B2|1985-07-22|1995-10-09|株式会社ニコン|固体撮像素子の駆動装置|
    JPS62245874A|1986-04-18|1987-10-27|Fuji Photo Film Co Ltd|Solid-state image pickup device|
    DE3877034T2|1987-04-10|1993-04-22|Toshiba Kawasaki Kk|Festkoerper-bildabtaster mit hochgeschwindigkeitsverschluss und verfahren zur erzielung einer hohen verschlussgeschwindigkeit in einem festkoerper-bildabtaster.|
    US4912537A|1988-06-24|1990-03-27|Polaroid Corporation|Image sensing array with charge isolation|
    US4963952C1|1989-03-10|2001-07-31|California Inst Of Techn|Multipinned phase charge-coupled device|
    US5047862A|1989-10-12|1991-09-10|Eastman Kodak Company|Solid-state imager|
    JPH0828497B2|1990-07-19|1996-03-21|株式会社東芝|固体撮像装置|
    US5182647A|1990-12-13|1993-01-26|Eastman Kodak Company|High resolution charge-coupled devicecamera system|
    US5338948A|1991-05-10|1994-08-16|Photometrics, Ltd.|Charge-coupled device with open gate structure|
    US6686963B1|1999-04-08|2004-02-03|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|Method for driving solid-state image device|
    JP3980302B2|2001-08-21|2007-09-26|富士フイルム株式会社|固体撮像装置およびその駆動方法|
    法律状态:
    1983-03-17| AK| Designated states|Designated state(s): US |
    1983-03-17| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): DE FR GB NL |
    1983-04-26| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1982902547 Country of ref document: EP |
    1983-08-31| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1982902547 Country of ref document: EP |
    1988-10-12| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1982902547 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP56/135797810829||1981-08-29||
    JP56135797A|JPS5838081A|1981-08-29|1981-08-29|Solid-state image pickup device|DE19823279119| DE3279119D1|1981-08-29|1982-08-27|Solid state image pickup device|
    [返回顶部]